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IC-EMS脉冲抗扰度测试系统
电快速瞬变脉冲群场耦合
电快速瞬变脉冲群场耦合
P1202-4 / P1302-4 set
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产品介绍
P1202-4 / P1302-4 set电快速瞬变脉冲群场耦合探头组中包含的场源产生电场的和磁场的电快速瞬变脉冲群场。这些场可以确定地、可复现地加载在集成电路上,从而确定集成电路对电快速瞬变脉冲群场的抗干扰性。
其背景是扁平元件组和电子设备的电快速瞬变脉冲群抗干扰性。这些设备要经受电快速瞬变脉冲群测试(IEC 61000-4-4)。测试时与扁平元件组耦合的电快速瞬变脉冲群干扰会产生电场和磁场。产生的场作用于扁平元件组的表面,并且能穿过集成电路的外壳。若这些场穿过集成电路,则在集成电路中产生干扰过程。
因此除了在集成电路引脚上的与电路耦合的电快速瞬变脉冲群干扰之外,磁场和电场对集成电路的影响也是一个很主要的干扰途径。



P1202-4 EFT/猝发磁场源
P1202-4 场源由 EFT/突发发生器 (IEC 61000-4-4) 供电。 它不与 EFT/Burst 发生器同步。 因此,反射过程导致电流流动。 根据 ICE 61000-4-4 标准,这种反射过程发生在实际设备测试期间,并由 P1202-4 再现。 在没有终端电阻的场源导体中,流动电流是带有终端电阻的场源 (P1202-4 50R) 的两倍。

                                   
 
主要参数

  • 输入电阻:  0.1 Ω
脉冲参数: 
  • 形状:  5 / 50 ns
  • 电压:  max ±8 kV
电流表: 
  • 测量输出:  50 Ω, SMB
  • 分流器:  0.1 Ω
  • 电流修正系数 R:  -26 dBΩ
  • 输入接口:  50 Ω Fischer (D103A023)
 
P1202-4 50R EFT/猝发磁场源
P1202-4 50R 场源由 EFT/突发发生器 (IEC 61000-4-4) 供电。 凭借其终端电阻,它与 EFT/Burst 发生器同步。 因此,产生了理想的 EFT/Burst 电流脉冲。 在没有内部终端电阻的场源的导体中,电流是带有内部终端电阻 (P1202-4) 的场源的两倍。

                                          
 
主要参数

  • 输入电阻:  50 Ω
脉冲参数
  • 形状:  5 / 50 ns
  • 电压:  max ±8 kV
电流表: 
  • 测量输出:  50 Ω, SMB
  • 分流器:  0.1 Ω
  • 电流修正系数 R:  -26 dBΩ
  • 输入接口:  50 Ω Fischer (D103A023)
 
P1302-4 EFT/猝发电场源
P1302-4型EFT/猝发电场源用于测定集成电路对电EFT-脉冲场耦合的抗干扰性。它工作在空载状态,并且没有内部终端。

                                    


脉冲参数
  • 形状:  5 / 50 ns
  • 电压:  max ±8 kV
电压表: 
  • 电压修正系数:  60 dB
  • 测量输出:  50 Ω, SMB
  • 输入接口:  50 Ω Fischer (D103A023)
 
P1302-4 50R EFT/猝发电场源
P1302-4 50R型EFT/猝发电场源用于测定集成电路对电EFT-脉冲场耦合的抗干扰性。它内部有50Ω的终端阻抗。

                                   

主要参数

  • 输入电阻50 Ω
脉冲参数: 
  • 形状:  5 / 50 ns
  • 电压:  max ±8 kV
电压表: 
  • 电压修正系数:  60 dB
  • 测量输出:  50 Ω, SMB
  • 输入接口:  50 Ω Fischer (D103A023)
 
BPM 02  dB/dt 场测试系统
BPM 02是磁场测试系统,用于测量磁场强度走向的实时变化。dB/dt 直到3GHz,它没有频率下限。

                    
 
主要参数

  • 频率范围:  500 kHz - 3 GHz
  • 示波器校正:  1.26 * 106 * ∫UAV dt
  • 频谱分析仪校正:  B/dB (µT): u / dB(µV) +122 - 20 log_10 (ω/Hz)
  • 频谱分析仪校正:  B/dB (µT): u / dB(µV) + 122 - 16 - 20 log_10 (f/Hz)
 
EPM 02
                   


主要参数

  • 频率范围:  3 GHz
  • 测量输出:  50 Ω, SMB
  • 示波器校正:  E [V/cm]: 3,55 * 1012 * ∫UAV dt
  • 频谱分析仪校正:  E/dB(µV/cm): u / dB(µV) + 251 - 20 log_10 (ω/Hz)
  • 频谱分析仪校正:  E/dB(µV): u / dB(µV) +251 -16 - 20 log_10 (f/Hz)
  • 最大射频场强:  < 1 kV/cm
  • 最大脉冲场强:  < 100 kV/cm

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